Голография. Применение голограмм. Диффракционные решетки

СВЕТООТРАЖЕНИЕ

Комитет российской федерации
по патентам и товарным знакам

(19) RU (11) 2065190 (13) C1

(51) 6 G 02 B 5/128

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
к патенту российской федерации

(21) 93035606/28 (22) 08.07.93 (46) 10.08.96 Бюл. № 22 (72) Абрамов В.В., Алексеев В.А., Белкин Н.Д., Молохина Л.А., Нарусбек Э.А., Филин С.А., Хазанова А.Ф. (71) (73) Обособленное научно-исследова-тельское подразделение 'по солнечной и точной оптике при Научно-производствен-ном объединении "Астрофизика" (56) 1. Патент США N 4102562, кл. G 02B 5/128, 1978. 2. Патент США N 4235512, кл. G 02B 5/128, 1980. (54) СВЕТОВОЗВРАЩАЮЩИЙ МАТЕРИАЛ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) (57) Использование: в технических средствах' регулирования дорожного движения для изготовления дорожных знаков, указателей, экранов, номерных знаков машин и т.д. и специальных элементов для обнаружения

предметов в темноте, кредитных карточек и т.п. Сущность изобретения: ячеистая струк-тура выполнена из сетчатого полотна, укрепленного на отражающей поверхности, при этом микрошарики расположены на отражающем слое в ячейках сетчатого полотна, покрыты защитной пленкой и удерживаются на определенном расстоянии друг относительно друга электростатически. Отражающий слой может быть выполнен в виде частиц с отражающей поверхностью, размещенных в связующем, при следующем соотношении компонентов, мае. проц.: свя-зующее 49,9-97,3, частицы с отражающей поверхностью 2,7-50,1, при этом микроша-рики частично погружены в отражающий слой и покрыты защитной пленкой. При получении световозвращающего материала нанесение слоя микрошариков осуществляют на отражающий слой с поверхности псевдо-

сжиженного слоя, образованного микрошари-ками заданного размера, обеспечиваемого посредством прикладывания к ним соответ-ствующей вынуждающей силы, например микрошариками с максимальной амплитудой колебания, обеспечиваемой посредством' при-

кладывания к ним вынужденных колебаний с резонансной частотой, соответствующей собственной частоте колебаний микрошари- ков заданных размеров. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил.

фиг. 2

фиг. 3